男，1971年生，台湾国立大学材料科学与工程学博士。
主要经历
2000年8月-2002年4月台湾积体电路制造股份有限公司主任工程师
2002年4月-2007年7月台湾积体电路制造股份有限公司技术经理
2007年7月-2010年7月欧洲微电子研究中心技术经理
2012年6月-2017年5月韩国三星电子半导体研发中心首席工程师
2017年7月-2018年5月中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司技术总监
2018年9月-至今 芯恩（青岛）集成电路有限公司院士
2019年被聘为青岛大学电子信息（微纳技术）学院教授。
一、主要研究方向：集成电路制造
二、代表性科研成果
January24, 2017,Semiconductor device and method for fabricating the same
March15, 2016,Semiconductor device and method for fabricating the same
6 May 2011,Study of nitrogen impact on VFB-EOT roll-off by varying interfacial SiO2 thickness,Solid-State Electronics
2011ON THE ORIGIN OF THE MOBILITY REDUCTION IN BULK-SI, UTBOX-FDSOI AND SIGE DEVICES WITH ULTRATHIN-EOT DIELECTRICS,IEEE
November 9, 2010,High-K dielectric metal gate device structure
2010,A Low Operating Power FinFET Transistor Module Featuring Scaled Gate Stack and Strain Engineering for 32/28nm SoC Technology,IEEE
2010,Implant-Free SiGe Quantum Well pFET: A novel, highly scalable and low thermal budget device, featuring raised source/drain and high-mobility channel,IEEE
2010,High-Mobility 0.85nm-EOT Si0.45Ge0.55-pFETs: Delivering high performance at scaled VDDIEEE
2010,6Å EOT Si0.45Ge0.55 pMOSFET with Optimized Reliability (VDD=1V): Meeting the NBTI Lifetime Target at Ultra-Thin EOT,IEEE
Dec1, 2009,High-k dielectric metal gate device structure and method for forming the same
