近日，我院单福凯教授课题组在微电子器件研究领域取得重要进展，研究成果在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters上发表，论文链接https://ieeexplore.ieee.org/document/9279329。
一维金属氧化物纳米纤维由于其独特的优势，在场效应晶体管集成方面具有广阔的应用前景。静电纺丝工艺由于其大规模制备和较低的成本，被认为是最具优势的纤维制备工艺。然而，静电纺丝制备的纳米纤维之间，以及纤维与衬底之间由于简单松散的堆叠，这会严重阻碍载流子的传导，从而导致纳米纤维电学器件稳定性差，迁移率低。
为提高纳米纤维场效应晶体管的器件性能，该课题组提出一种新的焊接工艺，引入聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的共混聚合物，利用两种聚合物受热时形变能力的不同，通过调节聚合物的比例，得到了焊接形态良好的SnGaO纳米纤维网络。此外，通过精确控制Ga的含量，得到了高稳定性、高开关比的SnGaO纳米纤维场效应晶体管器件。该工作为构建高性能、高稳定性的一维纳米纤维电子器件提供了一种良好的工艺，有利于促进低成本、高性能电子器件的发展。
该论文通信作者为单福凯教授。第一作者为硕士研究生傅传玉，现在青岛芯恩集成电路有限公司工作。该研究工作得到了国家自然科学基金委（No.51872149, No.51672142）专项资金的经费支持。
