日前，我院单福凯教授课题组在微电子器件领域再次取得重要进展。该组一篇研究论文“High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric”在光电材料领域著名刊物《Journal of Materials Chemistry C》上发表，影响因子为5.066。论文链接http://dx.doi.org/10.1039/C6TC02137A。该论文巧妙地利用超薄高介电常数材料代替传统SiO2介电层，实现了高迁移率p型NiO薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)。器件空穴迁移率达到25 cm2/Vs，该迁移率为世界之最。该工作克服了目前p型TFT器件由于过低空穴迁移率而不能应用的瓶颈，提出了实现高空穴迁移率TFT的新途径。对低能耗、高性能CMOS器件的研发具有重要的意义。
该研究工作得到了国家自然科学基金面上项目的支持【溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究；全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成；高性能P沟道氧化物薄膜晶体管的制备及器件集成】。
