2016年10月20日，我院单福凯教授课题组在微电子柔性显示领域再次取得重要进展，两篇重量级SCI文章同一天被著名期刊接受发表。
其中一篇 “Solution-processed high-k magnesium oxide dielectrics for low-voltage oxide thin-film transistors”发表在国际著名电子期刊《Applied Physics Letters》，影响因子为3.142，论文链接为 http://dx.doi.org/10.1063/1.4966897 。该论文首次运用溶液法制备出高性能透明氧化镁介电层薄膜，并成功制备出基于氧化镁薄膜的高性能TFT，系统的研究了温度对介电层薄膜以及TFT性能的影响。
另一篇“Low-temperature, nontoxic water-induced high-k zirconium oxide dielectrics for low-voltage, high-performance oxide thin-film transistors” 在光电材料和器件领域著名刊物《Journal of Materials Chemistry C》上发表，影响因子为5.066，论文链接地址为：http://dx.doi.org/10.1039/C6TC02607A，该论文运用廉价环保的水溶胶技术低温制备了超薄氧化锆（ZrOx）介电层薄膜并探索了其在低压n型、p型沟道thin film transistors（TFTs）上的应用, 为低功耗显示器、CMOS集成电路的发展奠定了基础。
该研究工作得到了多项国家自然科学基金面上项目的支持【溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究；全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成；高性能P沟道氧化物薄膜晶体管的制备及器件集成】
