肖德元，男，江西泰和人，1984年于南昌大学获半导体物理专业理学学士学位。1987年考取中国科学院研究生院硕博连读研究生，于1990年获半导体器件专业理学硕士学位和所长奖学金一等奖。1993年考取美国康奈尔大学电气工程学院硕博连读研究生（受当时国家政策规定限制，未能就读）。IEEE和ECS的会员, 国际《微电子》杂志和中国物理快报（英文版）的审稿员，中科院副研究员，中国专利审查技术专家库专家，中国九三学社社员。
工作经历：
1984年至1987年，留校任南昌大学助教。
1990年起，任职中国科学院上海微系统与信息技术研究所，先后担任助理研究员、副研究员，国家科技重大专项（02专项）课题组长兼首席科学家。
从1996年至1998年，加入美国诺发系统有限公司任高级现场服务工程师。作为访问学者到麻省理工学院和贝尔实验室短期工作访问。
从1998年至2001年，加入特许半导体（现在的格罗方德）公司担任高级工程师。随后，加入中芯国际集成电路制造有限公司，目前担任技术研发中心副主任技术专家，专利技术委员会联合主席。
1995年，他与合作者在国际上首次采用离子束铣技术研制成功双焦距微透镜阵列，现被用于图形化蓝宝石衬底制造，广泛应用于氮化物基LED产业。
2005年, 他作为第一作者发明并研制成功平面分离双栅场效应晶体管(PSDG MOSFET)。该成果获得上海市暨浦东新区科协优秀论文一等奖，并由<<场效应管基础与应用实务>>（吴红奎，科学出版社，北京，2011）一书所收录。2005年他发明无结全包围栅纳米线场效应晶体管（US8884363 System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures）。
2009年首次发表该器件基于沟道全耗尽的紧凑型模型并推导出该器件的电流-电压方程表达式, 有学者在IEEE EDL杂志上引用他开拓性文章。国际领先的半导体公司，如英特尔，IBM及三星等表现出对该新颖器件的强烈兴趣。
自2010年，J. P. Colinge教授成功研制出三栅无结场效应晶体管并在“自然”杂志上发表以后，无结全包围栅纳米线场效应管被确认为具备纳米级晶体管按比例缩小能力以及三维堆叠芯片的强有力候选器件。他撰写或与他人合作撰写了两本半导体专业书籍，在国际会议及出版刊物上发表超过30篇技术论文，多数为SCI或EI收集。获得50件美国/欧洲和100件中国授权专利。他的主要研究领域包括新颖半导体及超导器件，先进CMOS技术，SOI材料和器件。
