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印刷平板显示技术研究所
2016-02-06 17:13   审核人:

印刷平板显示技术是基于印刷电子技术开发出来的区别于传统平板显示器的新型制造技术,其利用导体、半导体前驱体溶液墨水和先进的印刷设备,直接在柔性衬底上打印出目标显示控制电路,并结合热蒸镀技术制作有机发光二极管(OLED),最终实现可柔性显示的制作。以这种技术制成的显示器在功能上相比于同类的传统显示器具有大量新的技术特性,如薄、轻、灵活、柔性、可弃性、透明性、大尺寸,可在广泛范围内实现应用,如用于移动设备、电子书和大型可变化广告牌显示屏等。

印刷平板显示技术研究所现有研究人员5名,研究生10余名。最近三年获批国家自然科学基金4项,山东省自然基金4项。本研究所科研经费充足,现在研纵向科研项目经费500余万元。所长单福凯,1971年生,山东临沂人,博士,教授,现任电子信息学院院长助理。2000年7月博士毕业于复旦大学。2000-2008和2011-2014年在韩国釜山大学和韩国东义大学工作。所长单福凯教授现已发表SCI文章100余篇,其中署名为第一作者和通信作者的有70余篇,被他人引用超1500次,单篇最高他引200多次;以第一发明人申报国家发明专利12项,已授权6项。截至2016年6月,其中第一作者的10篇SCI文章被他人引用1200余次,单篇最高他引200多次。他引超过100次的文章有6篇。以第一发明人申报国家发明专利12项,授权6项。《Applied Physics Letters》《Advanced Functional Materials》、《Advanced Electronic Materials》、《Thin Solid Films》、《Materials Letters》等著名学术期刊的审稿人。曾10多次到美国、欧洲、台湾、香港、韩国等地参加国际学术会议,并多次受邀作大会特邀报告(Plenary talk)和邀请报告(Invited talk)。目前主持青岛大学科研启动基金、国家自然科学基金项目(溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究,项目编号51472130)、省自然科学基金项目【在柔性衬底上n-ZnO/p-NiO薄膜的低温生长于性能研究,项目编号ZR2011FM010;柔性衬底上基于ZnO合金的透明薄膜晶体管(TTFT)的研究,项目编号ZR2012FM020】。总经费超过300万元。主要研究经历为:宽禁带半导体薄膜材料的生长、表征和机理研究;超薄高k值介电材料,其性能研究和退火效应研究。半导体器件的研发,包括薄膜晶体管、光电探测器、太阳能电池,高功率半导体器件等。本研究所师生思维活跃,最近5年连续发表高水平SCI期刊论文数十篇,多篇影响因子在10以上,取得了国际同行的广泛认可(部分文章在列表中)。欢迎有志于在微电子领域进一步深造的研究生和本科生。联系email:fkshan@qdu.edu.cn

本课题组主要实验设备包括:磁控溅射系统、离子束溅射系统、熔胶凝胶系统、等离子体清洗系统、热蒸发系统、光刻机、快速退火炉、真空管式炉、马弗炉、超高精度半导体参数测试系统(测量精度达到10 fA)、超高精度阻抗参数测量系统等。

目前本研究所的主要研究方向为固体电子学与微电子学方向。研究重点是超高性能平板显示器件中的柔性透明薄膜晶体管的研究。包括宽禁带半导体薄膜材料;高k值介电材料;锂离子电池材料及半导体器件的集成,其中包括薄膜晶体管、光电探测器、锂离子电池等。欢迎对微电子学与固体电子学感兴趣的同学们加入我们课题组,并报考本研究所研究生。尤其欢迎本科专业为物理大类、化学大类、电子科学与技术大类、材料大类的同学们报考。联系email:fkshan*qdu.edu.cn 。请把email地址中的*换为@。

近3年所发表学术论文代表作如下:

1. Ao Liu, G. X. Liu*, H. H. Zhu, B. C. Shin, E. Fortunato, R. Martins,Fukai Shan* (Correspondence), Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric,Appl. Phys. Lett., 108 (2016) 233506.

2. Ao Liu, Guoxia Liu, Huihui Zhu, Byoungchul Shin, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins,FukaiShan*(Correspondence),Eco-friendly, solution-processed In-W-O thin films and their applications in low-voltage, high-performance transistors,J. Mater. Chem. C, 4 (2016) 4478.

3. H.H. Zhu, Ao Liu,Fukai Shan*(Correspondence), W.R. Yang, W.L. Zhang, D. Li, J.Q. Liu, One-step synthesis of graphene quantum dots from defective CVD graphene and their application in IGZO UV thin film phototransistor,Carbon,100 (2016) 201.

4. A. Liu, G.X.Liu, H.H. Zhu, B.C. Shin, E. Fortunato, R. Martins,Fukai Shan*(Correspondence), Eco-friendly water-induced aluminum oxide dielectrics and their applications in hybrid metal oxide/polymer TFT,RSC Adv., 5 (2015) 86606.

5. Ao Liu, Guoxia Liu, Huihui Zhu, Huijun Song, Byoungchul Shin, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins,Fukai Shan*(Correspondence), Water-induced scandium oxide dielectric for low-operating voltage n- and p-type metal-oxide thin-film transistors,Adv. Funct. Mater.,25 (2015) 7180.

6. Jianmin Yu, Guoxia Liu, Ao Liu, You Meng, Byoungchul Shin,Fukai Shan*(Correspondence) Solution-processed p-type copper oxide thin-film transistors fabricated by using a one-step vacuum annealing technique,J. Mater. Chem. C, 3 (2015) 9509.

7. Ao Liu, Guoxia Liu, Huihui Zhu, You Meng, Huijun Song, Byoungchul Shin, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins,Fukai Shan*(Correspondence),A water-induced high-k yttrium oxide dielectric for fully-solution-processed oxide thin-film transistors,Curr. Appl. Phys., 15 (2015) S75.

8. Guoxia Liu, Ao Liu, Huihui Zhu, Byoungchul Shin, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins, Yiqian Wang,Fukai Shan*(Correspondence),Low-temperature, nontoxic water-induced metal-oxide thin films and their application in thin-film transistors,Adv. Funct. Mater., 25 (2015) 2564.

9. You Meng, Guoxia Liu, Ao Liu, Huijun Song, Yang Hou, Byoungchul,Fukai Shan*(Correspondence),Low-temperature fabrication of high performance indium oxide thin film transistors,RSC Adv., 5 (2015) 37807.

10. Feng Zhang, Guoxia Liu, Ao Liu, Byoungchul Shin,Fukai Shan* (Correspondence),Solution-processed hafnium oxide dielectric thin films for thin-film transistors applications,Ceram. Int., 41 (2015) 13218.

11. Fukai Shan* (Correspondence), Ao Liu, Guo Xia Liu, You Meng, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins, Low-voltage high-stability InZnO thin-film transistor using ultra-thin solution-processed ZrOxdielectric,J. Disp. Technol., 11 (2015) 541.

12. Huiyue Tan, Guoxia Liu, Ao Liu, Byoungchul,Fukai Shan* (Correspondence),The annealing effects on the properties of solution-processed alumina thin film and its application in TFTs,Ceram. Int., 6 (2015) S349.

13. Feng Xu, Ao Liu, Guo Xia Liu, Byoungchul Shin, andFukai Shan* (Correspondence),Solution-processed yttrium oxide dielectric for high-performance IZO thin-film transistors,Ceram. Int., 41 (2015) S337.

14. G.X. Liu*, A. Liu, Y. Meng,Fukai Shan* (Correspondence), B.C. Shin, W.J. Lee, C.R. Cho, Annealing dependence of solution-processed ultra-thin ZrOxfilms for gate dielectric applications,J. Nanosci. Nanotechnol., 15 (2015) 2185.

15. Ao Liu, Guoxia Liu, Huihui Zhu, Feng Xu, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins,Fukai Shan* (Correspondence),Fully solution-processed low-voltage aqueous In2O3thin-film transistors using an ultrathin ZrOxdielectric,ACS Appl. Mater. Interfaces, 6 (2014) 17364.

16. G.X. Liu*, A. Liu,Fukai Shan* (Correspondence), Y. Meng, B.C. Shin, E. Fortunato, R. Martins, High-performance fully amorphous bilayer metal-oxide thin film transistors using ultra-thin solution-processed ZrOxdielectric,Appl. Phys. Lett., 105 (2014) 113509.

17. G.Z. Geng, G.X. Liu,Fukai Shan* (Correspondence), A. Liu, Q. Zhang, W.J. Lee, B.C. Shin, H.Z. Wu, Improved performance of InGaZnO thin-film transistors with Ta2O5/Al2O3stack deposited by using pulsed laser deposition,Curr. Appl. Phys., 14 (2014) S2.

18. A. Liu, G.X. Liu,Fukai Shan* (Correspondence), H.H. Zhu, S. Xu, J.Q. Liu, B.C. Shin, W.J. Lee, Room-temperature fabrication of ultra-thin ZrOx dielectric for high-performance InTiZnO thin-film Transistors,Curr. Appl. Phys., 14 (2014) S39.

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