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IEEE Transactions on Electron Devices发表单福凯教授课题组研究成果
2017-09-19 09:19   审核人:

近日,我院单福凯教授课题组在微电子器件研究领域取得重要进展,其研究成果“Solution-Processed SrOx-Gated Oxide Thin-Film Transistors and Inverters”在国际微电子领域权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices发表, 论文链接http://doi.org/10.1109/TED.2017.2742060。该论文以单福凯教授和刘国侠教授为通讯作者,硕士生范彩璇为第一作者。该期刊接收发表微电子器件相关的前沿科研成果。

IEEE(电气和电子工程师协会)是目前全球最大的非营利性专业技术学会,其会员人数超过40万人,遍布160多个国家和地区。IEEE致力于电气、电子、计算机工程和与科学有关领域的研究与开发,现已发展成为具有极大影响力的国际学术组织。IEEE Transactions on Electron DevicesIEEE出版社旗下的微电子领域的权威期刊,在国际微电子领域享誉盛名。

21世纪在显示领域是平板显示的时代,而绝大多数平板显示器件都是有源矩阵液晶显示器件(AMLCD)。在AMLCD像素中引入薄膜晶体管(TFT)开关元件和存贮电容,可大大提高显示器件性能,这使得TFT成为液晶乃至整个平板显示的主导技术。具有高介电常数的薄膜电子材料一直是该研究领域的重心,同时也是低功耗显示器、CMOS集成电路必不可少的组成部分。

单福凯课题组长期从事介电材料、半导体材料及微电子器件的研究,致力于研发超薄高k介电材料取代传统SiO2,通过操作简单、价格低廉的溶胶旋涂技术制备了高k介电SrO薄膜并且系统地研究了退火条件对SrO薄膜的形成和特性的影响。最后,该工作将SrO薄膜集成在TFT和反相器中,在低压3V下操作稳定并展现出了良好的电学性能,对于低功耗、便携、柔性电子器件的研发具有重要的意义。最近几年,采用低成本溶胶凝胶旋涂技术在高k介电TFT器件领域取得一系列重要进展(Adv. Funct. Mater., 2015, 25, 7180J. Mater. Chem. C, 2016, 4, 10715; Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 183508)。这次发表在IEEE Transactions on Electron Devices上的研究工作标志着该课题组在低功耗、高性能、低成本微电子器件领域开创并引领着新的科研方向。

该研究工作得到了国家自然科学基金委多个面上项目(“高性能p沟道氧化物薄膜晶体管的制备及器件集成”、“溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究”和“全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成”)专项资金的经费支持。

课题组热情欢迎有志从事微电子器件研究的本科生和研究生加入团队,共创辉煌。

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